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 Sputter Joining of TiO2
  SiO2 Thin Film System / 多賀, 康訓, 2012.03. -- (総合工学 ; 24巻 (2012.3)). w.  <XC12000049>
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書誌
タイトル
Sputter Joining of TiO2 / SiO2 Thin Film System
作成者
多賀, 康訓||タガ, ヤスノリ||Taga, Yasunori
公開者
中部大学総合工学研究所
書誌構造リンク
ISSN
09153292
雑誌名
総合工学
巻次等
24
開始終了ページ
72-74
発行日
2012.03
主題
Thin film, Multilayer, Sputtering, Kinetic energy, Joining, Adhesion
内容記述
This paper describes the results of room temperature joining of TiO2 / SiO2 IRF by sputter deposition with a special emphasis of improvement of adherence at the interface. This multilayer system is designed to shield the infrared energy of solar spectrum by interference reflection. The abrasion resistance of the multilayer stacks was also estimated by the Haze value after the Taber abrasion test. It was found that the Haze values of TiO2 / SiO2 system showed over 20% after abrasion test, indicating poor adhesion at the interface. By introducing Al2O3 layer at the interface between SiO2 and TiO2, the haze value deceased to 1.9%. Transmission electron microscopic observation revealed distinct interface at TiO2 /SiO2, but amorphous continuous and indistinct interfaces of SiO2/ Al2O3 and TiO2 / Al2O3 were clearly found. These results can be explained in terms of chemical reactions at the interface at SiO2 / Al2O3 and Al2O3 /TiO2 by local heat evolution induced by energy deposition of sputtered particles.
登録日
2012.08.02
資源タイプ
論文
資料種別(NIIタイプ)
Departmental Bulletin Paper
フォーマット
PDFファイル
著者版フラグ
publisher
機関名
中部大学
外部リンク
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