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 InP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ技術を用いた100Gbit/s級光伝送用集積回路
  石井, 清, 2006.12. -- (中部大学工学部紀要 ; 42巻 (2006.12)). w.  <XC12000249>
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書誌
タイトル
InP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ技術を用いた100Gbit/s級光伝送用集積回路
タイトル(その他)
InPケイ ヘテロ セツゴウ バイポーラ トランジスタ ギジュツ オ モチイタ 100Gbit/s キュウ ヒカリ デンソウヨウ シュウセキ カイロ
タイトル(その他)
Rercent Progress in 100-Gbit/s-Class Optical Communications ICs Using InP-Based HBT Technologies
作成者
石井, 清||イシイ, キヨシ||Ishii, Kiyoshi
公開者
中部大学工学部
書誌構造リンク
ISSN
21877408
XISSN
09108629
雑誌名
中部大学工学部紀要
巻次等
42
開始終了ページ
95-102
発行日
2006.12
主題
IC, InP-based HBT, ECL gate, Decision circuit, Selector circuit, Optical communications
内容記述
This paper describes novel InP-based heterojunction bipolar transistor(HBT) technologies and circuit design techniques for small-scale-integration(SSI) for 100-Gbit/s-class optical communications systems. The circuits include a sub-4- ps emitter-coupled logic(ECL)gate,100-Gbit/s selector circuit, and 90-Gbit/s decision circuit. It is demonstrated that InP-based HBT technologies and proposed circuit design techniques are attractive for fabricating ultrahigh-speed SSI circuits with data rates approaching 100 Gbit/s.
登録日
2013.02.25
資源タイプ
総合報告
資料種別(NIIタイプ)
Departmental Bulletin Paper
フォーマット
PDFファイル
著者版フラグ
publisher
機関名
中部大学
外部リンク
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