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論文情報 <XC12000249>


InP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ技術を用いた100Gbit/s級光伝送用集積回路石井, 清, 2006.12. -- (中部大学工学部紀要 ; 42巻 (2006.12)). w. <XC12000249>

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書誌


タイトル	InP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ技術を用いた100Gbit/s級光伝送用集積回路
タイトル(その他)	InPケイヘテロセツゴウバイポーラトランジスタギジュツオモチイタ 100Gbit/s キュウヒカリデンソウヨウシュウセキカイロ
タイトル(その他)	Rercent Progress in 100-Gbit/s-Class Optical Communications ICs Using InP-Based HBT Technologies
作成者	石井, 清\|\|イシイ, キヨシ\|\|Ishii, Kiyoshi
公開者	中部大学工学部
書誌構造リンク	中部大学工学部紀要 <XB12000017> 42巻 (2006.12)
ISSN	21877408
XISSN	09108629
雑誌名	中部大学工学部紀要
巻次等	42
開始終了ページ	95-102
発行日	2006.12
主題	IC, InP-based HBT, ECL gate, Decision circuit, Selector circuit, Optical communications
内容記述	This paper describes novel InP-based heterojunction bipolar transistor(HBT) technologies and circuit design techniques for small-scale-integration(SSI) for 100-Gbit/s-class optical communications systems. The circuits include a sub-4- ps emitter-coupled logic(ECL)gate,100-Gbit/s selector circuit, and 90-Gbit/s decision circuit. It is demonstrated that InP-based HBT technologies and proposed circuit design techniques are attractive for fabricating ultrahigh-speed SSI circuits with data rates approaching 100 Gbit/s.
登録日	2013.02.25
資源タイプ	総合報告
資料種別(NIIタイプ)	Departmental Bulletin Paper
フォーマット	PDFファイル
著者版フラグ	publisher
機関名	中部大学
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