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 Electrical Characterization of Thick InGaN Films Grown by MOCVD for Photovoltaic Applications
  中野, 由崇, 2014.03. -- (総合工学 ; 26巻 (2014.3)). w.  <XC14000026>
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書誌
タイトル
Electrical Characterization of Thick InGaN Films Grown by MOCVD for Photovoltaic Applications
作成者
中野, 由崇||ナカノ, ヨシタカ||Nakano, Yoshitaka
公開者
中部大学総合工学研究所
書誌構造リンク
ISSN
09153292
雑誌名
総合工学
巻次等
26
開始終了ページ
1-7
発行日
2014.03
主題
thick InGaN film, deep-level defects, shallow donor, Schottky barrier diode, thermal admittance spectroscopy, steady-state photo-capacitance spectroscopy
内容記述
We have electrically characterized a 300 nm-thick unintentionally-doped In0.09Ga0.91N film grown by metal-organic chemical vapor deposition on a GaN template, employing capacitance-voltage (C-V), thermal admittance spectroscopy (TAS), and steady-state photo-capacitance spectroscopy (SSPC) techniques on Schottky barrier diodes. TAS measurements revealed a degenerating-like shallow-donor defect with a thermal activation energy of ~7 meV, which most likely acts as a source of residual carriers with their concentration of ~1017 cm-3 determined from C-V measurements. Additionally, SSPC measurements revealed two characteristic deel-level defects located at ~2.07 and ~3.05 eV below the conduction band, which were densely enhanced near the underlayer. These electronic defects are probably introduced by alloying InN with GaN.
登録日
2014.04.21
資源タイプ
論文
資料種別(NIIタイプ)
Departmental Bulletin Paper
フォーマット
PDFファイル
著者版フラグ
publisher
機関名
中部大学
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