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 直接成長グラフェンによる自己組織化デバイスプロセス開発 - 低ガス分圧成長について -
  河原, 敏男; 玉田, 敦子, 2014.03. -- (総合工学 ; 26巻 (2014.3)). w.  <XC14000029>
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書誌
タイトル
直接成長グラフェンによる自己組織化デバイスプロセス開発 - 低ガス分圧成長について -
タイトル(その他)
チョクセツ セイチョウ グラフェン ニヨル ジコソシキカ デバイス プロセス カイハツ テイガス ブンアツ セイチョウ ニツイテ
タイトル(その他)
Developments of Self-alignment Process for Few Layers of Graphene with Low Gas Pressure and Short Deposition Time
作成者
河原, 敏男||カワハラ, トシオ||Kawahara, Toshio
作成者
玉田, 敦子||タマダ, アツコ||Tamada, Atsuko
公開者
中部大学総合工学研究所
書誌構造リンク
ISSN
09153292
雑誌名
総合工学
巻次等
26
開始終了ページ
24-30
発行日
2014.03
主題
Graphene process, self-alignment, Raman spectra, Chemical vapor deposition
内容記述
Nano-carbons such as carbon nanotubes and graphenes are very promising as next generation materials, and we can use field effect transistors (FETs) using nano-carbon channels. In these nano-carbon materials, carbon nanowalls (CNWs) are constructed with a few layers of graphene and they also have similar properties to graphene. We have developed self-alignment process for the CNWs using a grapho-epitaxy. Depending on the growth condition, the grapho-epitaxy can enhance the graphene layers growth. Then, we have developed the novel process that could reduce the thickness for a few layers of graphene of CNWs. In this paper, we have deposited carbon materials by chemical vapor deposition with low gas pressure and short deposition time for the search of graphene growth. From Raman spectra, moderate range of growth condition is better for the nano carbon growth. And we also fabricate the self-aligned structure using the grapho-epitaxy, and can observe the enhancement of Raman peaks for the self-aligned region. For the electric properties, we can also obtain metallic features with a few kilo-Ohms for the sparsely aligned few layers of graphene.
登録日
2014.04.21
資源タイプ
論文
資料種別(NIIタイプ)
Departmental Bulletin Paper
フォーマット
PDFファイル
著者版フラグ
publisher
機関名
中部大学
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