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 直接成長グラフェンによる自己組織化デバイスプロセス開発 - 自己組織化プロセスのデバイス特性への影響 -
  河原, 敏男; 玉田, 敦子, 2015.03. -- (総合工学 ; 27巻 (2015.3)). w.  <XC15000044>
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書誌
タイトル
直接成長グラフェンによる自己組織化デバイスプロセス開発 - 自己組織化プロセスのデバイス特性への影響 -
タイトル(その他)
チョクセツ セイチョウ グラフェン ニヨル ジコソシキカ デバイス プロセス カイハツ ジコソシキカ プロセス ノ デバイス トクセイ エノ エイキョウ
タイトル(その他)
Effects of the self-alignment process on the electronic properties of the carbon nanowall field effect transistor
作成者
河原, 敏男||カワハラ, トシオ||Kawahara, Toshio
作成者
玉田, 敦子||タマダ, アツコ||Tamada, Atsuko
公開者
中部大学総合工学研究所
書誌構造リンク
ISSN
09153292
雑誌名
総合工学
巻次等
27
開始終了ページ
28-35
発行日
2015.03
主題
Graphene process, self-alignment, Raman spectra, Chemical vapor deposition
内容記述
Nano-carbons such as carbon nanotubes and graphenes are very promising as next generation materials, and we can use field effect transistors (FETs) using nano-carbon channels. In these nano-carbon materials, carbon nanowalls (CNWs) are constructed with a few layers of graphene and they also have similar properties to graphene. We have developed self-alignment process for the CNWs using a grapho-epitaxy. In this paper, we have deposited carbon materials by chemical vapor deposition and fabricated FETs using self-alignment process. We discuss about the effects of the self-alignment process using the Raman spectroscopy and the measurements of electronic properties such as the drain-source current (IDS). The grapho-epitaxy can enhance the graphene layers growth and also induce the defects caused by the strain in the CNWs. The scattering at the grain boundary could be dominant for the electric properties of CNW-FET grown at 500℃, and we can observe the bipolar semiconductive characteristics.
登録日
2015.06.18
資源タイプ
論文
資料種別(NIIタイプ)
Departmental Bulletin Paper
フォーマット
PDFファイル
著者版フラグ
publisher
機関名
中部大学
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